NISTEP注目科学技術 - 2023_E595
概要
ダイヤモンドおよび超ワイドギャップ半導体の単材料あるいは組み合わせ（コンプリメンタル）によるパワーデバイス（超高パワー、耐放射線、高温、低温などの耐環境を含む）およびセンサー。
キーワード
高パワー / 高周波 / 耐環境 / 高電圧 / 高温低温
| ID | 2023_E595 |
|---|---|
| 調査回 | 2023 |
| 注目/兆し | 注目 |
| 所属機関 | 大学 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | 高 |
| 実現時期 | 5年以降10年未満 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
研究室レベルではデバイスの特性があるていど実証されている。企業の共同研究も進められている。
インパクト
エネルギー問題への貢献（省エネ、グローバル送電、自然エネルギーの送配電など）、高周波高パワーによる、現状で未だに真空管のみが使える領域を半導体デバイスで置き換えられる。福島原発廃炉のスピードアップなど大きく貢献できる。
必要な要素
企業のより積極的な参入、開発費用。