NISTEP注目科学技術 - 2020_E345
概要
超ワイドギャップ半導体（ダイヤモンド、c-BN、AlNおよびハイブリッド）を用いた超高電圧(高高耐圧・高電流）半導体素子およびそのパッケージング、モジュール化技術。それらを用いた(スマート）送電系統構築。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E345 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 企業 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年以降 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
基板大口径化、接合技術、結晶成長技術、およびデバイス構造など。