NISTEP注目科学技術 - 2020_E341

概要
強誘電体に内包する2次元電子ガスおよびホールガスの生成制御。
強誘電体は自発分極を有しており、同符号の電荷同士が向かいあう、帯電ドメイン壁は2次元電子(ホール)ガスを内包している。また、このドメイン壁は特異な電気伝導性や、特異な物性を示すことで知られている。また、強誘電体は分極反転により、分極電荷を反転できることから、スイッチング素子へ応用できる。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
ID 2020_E341
調査回 2020
注目/兆し 2020
※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。
所属機関 大学
専門分野 ナノテクノロジー・材料
専門度 -
2020年調査にはこの項目はありません。
実現時期 10年未満
分析データ 推定科研費審査区分(中区分) 21 (電気電子工学)
分析データ クラスタ 48 (スピントロニクス)
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
特異な物性を呈する帯電ドメイン壁を、任意の位置に導し、集積化する技術が必要である。この技術は帯電ドメイン壁の物性を用いたデバイスを集積化する上で、必ず必要となる技術である。