NISTEP注目科学技術 - 2020_E299
概要
炭化ケイ素（SiC）エレクトロニクス。従来推進されてきたパワーデバイスに加えて、p型/n型トランジスタが作製できることからSiエレクトロニクスの適用が困難な宇宙空間や原子炉近くでのIC素子や、量子センシングといった多岐にわかる応用が期待されている。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E299 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 大学 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年以降 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
SiCパワーデバイスに関しては、トランジスタの性能および信頼性向上が必須である。この技術は極限環境向けIC素子にも不可欠である。量子センシング応用には、Si空孔欠陥などの形成・制御技術の確立が不可欠である。