NISTEP注目科学技術 - 2020_E274
概要
急峻スイッチング素子技術。これまで計算機技術の発展を支えてきたトランジスタ微細化の本質は、高密度集積と消費電力削減とを両立したことにある。高密度集積は引き続き様々な新技術で進められているが、消費電力削減は物理的限界に直面している。これを解決する新原理のトランジスタ技術が、急峻スイッチング素子技術である。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E274 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 公的機関 |
| 専門分野 | 情報通信 |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年未満 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 38 （計算機・電気通信・通信デバイス・量子計算機） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
様々な急峻スイッチング素子技術が提案されているが、どれもLSIに実用化するには短所がある状況である。例えば最有力視されるトンネルトランジスタの場合、駆動電流が低く動作速度が遅いという問題がある。強誘電体ゲートトランジスタの場合、ヒステリシス現象が存在するため回路動作が難しいという問題がある。短所は個々に違うが、これを克服することが実現へのブレークスルーとなる。