NISTEP注目科学技術 - 2020_E257
概要
ダイヤモンド単結晶を用いた新材料トランジスタ。
Si半導体の性能限界を超えるべく、現在、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いたトランジスタデバイスの開発が盛んに行われている。我が国はGaNを用いた青色発光ダイオード(LED)の開発で世界を先行した経緯があり、それらの化合物半導体作製技術をベースに、新材料トランジスタの開発も世界をリードしている。ダイヤモンドは究極の半導体と呼ばれており、ダイヤモンド単結晶を用いたトランジスタが実現できれば、サステイナブル発電、電力供給、自動車、情報機器等、多くの分野への波及効果も大きい。。
Si半導体の性能限界を超えるべく、現在、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いたトランジスタデバイスの開発が盛んに行われている。我が国はGaNを用いた青色発光ダイオード(LED)の開発で世界を先行した経緯があり、それらの化合物半導体作製技術をベースに、新材料トランジスタの開発も世界をリードしている。ダイヤモンドは究極の半導体と呼ばれており、ダイヤモンド単結晶を用いたトランジスタが実現できれば、サステイナブル発電、電力供給、自動車、情報機器等、多くの分野への波及効果も大きい。。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E257 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 企業 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年以降 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
現状では、大面積の良質なダイヤモンド単結晶を作製することが極めて難しい。徐々に技術革新は進んでいるが、極めて難しい結晶成長技術が要求される。大口径のダイヤモンド単結晶が作製できれば、ブレイクスルーとなる。