NISTEP注目科学技術 - 2020_E253
概要
p型の超ワイドギャップ半導体材料探索と合成に注目している。現在、SiC、GaNの次のパワーデバイス材料候補として酸化ガリウム(Ga2O3)が注目されている。酸化ガリウムは日本国内で準安定相のアルファ型と安定相のベータ型の開発が進んでいる。しかし、ワイドギャップの酸化物半導体であるためp型化が物理的特性上、ほぼ不可能に近いと理論的に予測されている。したがって、酸化ガリウムに代わる、高耐圧を実現する広いバンドギャップを有するp型材料の研究開発が非常に重要であり注目している。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E253 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 公的機関 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年未満 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
広いバンドギャップを持ち、かつp型伝導をする材料を見つけて合成する必要がある。さらに物性的に安定で、ドーピングや薄膜化が可能でないとデバイス応用には向かない。このような様々な要求に耐えうる、新しいp型の半導体を世界に先駆けて見つけ、量産可能なまでの水準に持っていくには上記内容をクリアする必要がある。