NISTEP注目科学技術 - 2020_E252
概要
GaOスイッチングトランジスタ。β型はSiに比べて3400倍のバリガ指数（物性指数）であり、GaNの4倍、SiCの10倍。その上β型はバルク結晶が比較的安定的に作製可能とされるため、量産レベルになれば基板作製コストが高いGaNやSiCに対してコスト優位性を持てる可能性がある。また、縦型構造も採用しやすい。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E252 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 大学 |
| 専門分野 | エネルギー |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年以降 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
原理上困難とされるp型GaOの作製。縦型エンハンスメント型トランジスタ（研究例はあるが現状はGaN、SiCに性能が及ばない）。廃熱機構。