NISTEP注目科学技術 - 2020_E249
概要
Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体デバイスは，非常に高性能であはあるが，製造過程のうち単結晶薄膜エピタキシャル成長が非常に高コストであるため，現在は高価である．これを，ハイドライド気相成長法という方法で単結晶薄膜を製造すれば，低コストで製造可能となり，ひいてはⅢ－Ⅴ族化合物半導体デバイスが低価格化される．
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E249 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 公的機関 |
| 専門分野 | エネルギー |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年未満 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
研究段階では既にその実績が得られているが，この技術を量産装置に適用させなければならない．