NISTEP注目科学技術 - 2020_E212
概要
新材料の優れた特性を活かすための新回路技術・新制御技術を用いた革新的なパワーエレクトロニクス技術
パワー半導体デバイスの新材料として大きな期待を集めているGaNやSiCの優れた特性を十分に活かすための新しい回路技術や制御技術により，身の回りのあらゆる機器において大幅な省エネルギー化・高性能化を実現し，カーボンニュートラルの実現に大きく貢献する技術である。
パワー半導体デバイスの新材料として大きな期待を集めているGaNやSiCの優れた特性を十分に活かすための新しい回路技術や制御技術により，身の回りのあらゆる機器において大幅な省エネルギー化・高性能化を実現し，カーボンニュートラルの実現に大きく貢献する技術である。
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E212 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 大学 |
| 専門分野 | エネルギー |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年未満 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 38 （計算機・電気通信・通信デバイス・量子計算機） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
新材料の特性を十分に活かすことが可能な回路の設計・実装技術と高速・高精度制御技術が必要となる。