NISTEP注目科学技術 - 2020_E155
概要
ゲルマニウム-スズ（GeSn）混晶を用いた光電子エレクトロニクス
キーワード
2020年調査にはこの項目はありません。
| ID | 2020_E155 |
|---|---|
| 調査回 | 2020 |
| 注目/兆し |
2020 ※2020年調査にはこの項目はありません。区別のため、便宜上 「2020」 としています。 |
| 所属機関 | 大学 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | - 2020年調査にはこの項目はありません。 |
| 実現時期 | 10年以降 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |
研究段階
2020年調査にはこの項目はありません。
インパクト
2020年調査にはこの項目はありません。
必要な要素
GeSn単結晶形成技術の確立。現行技術では結晶性が低く、本来の性能が発揮できていない。Siに比べて形成温度の低温化が可能であるので、結晶形成技術次第で、超高性能フレキシブルエレクトロニクス応用も期待される。