NISTEP注目科学技術 - 2023_E110
概要
電子の有する電荷とスピンの性質を積極的に活用する、スピントロニクス分野の進展は目覚ましく、強磁性トンネル接合（MTJ）素子が驚異的な速度でハードディスク用の読み取りセンサとして製品化され、磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）も少容量ながら実用に至った。また、基礎研究分野においても、興味深い量子的な物理現象や機能性材料の発見が相次いでいる。今後は、次世代の産業の核となりうる量子スピントロニクス技術の創出が期待される。特に、従来のスピントロニクス材料・素子に関する成果と、スピンの重ね合わせ状態ともつれを生成・制御する量子技術の融合により、画期的かつ実用的な量子スピントロニクス素子が創成可能と考えられる。
キーワード
量子スピントロニクス / 不揮発性メモリ / 量子磁気センサ
| ID | 2023_E110 |
|---|---|
| 調査回 | 2023 |
| 注目/兆し | 注目 |
| 所属機関 | 大学 |
| 専門分野 | ナノテクノロジー・材料 |
| 専門度 | 高 |
| 実現時期 | 5年以降10年未満 |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 29 （応用物理物性） |
| 分析データ クラスタ | 48 （スピントロニクス） |
研究段階
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インパクト
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必要な要素
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