電圧印加による単結晶SiおよびGeの低温変形メカニズム解明
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K01361 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 三浦 清貴 |
| 採択時の代表者所属 | 京都大学 工学研究科 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 60418762 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 26 （材料工学） |
| 分析データ クラスタ | 40 （材料工学） |
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K01361 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 三浦 清貴 |
| 採択時の代表者所属 | 京都大学 工学研究科 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 60418762 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 26 （材料工学） |
| 分析データ クラスタ | 40 （材料工学） |