熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K01348 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 細井 卓治 |
| 採択時の代表者所属 | 関西学院大学 工学部 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 90452466 |
| 科研費審査区分（中区分） | 29 （応用物理物性） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |