4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K26559 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 本田 善央 |
| 採択時の代表者所属 | 名古屋大学 未来材料・システム研究所 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 60362274 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |