自在積層したRashba・トポロジカル系原子層薄膜のスピン電子状態の解明
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K26546 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 高山 あかり |
| 採択時の代表者所属 | 早稲田大学 理工学術院 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 70722338 |
| 科研費審査区分（中区分） | 29 （応用物理物性） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 29 （応用物理物性） |
| 分析データ クラスタ | 48 （スピントロニクス） |