層間挿入によるh-BNの半導体化とベータボルタ電池応用
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K26150 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 山田 貴壽 |
| 採択時の代表者所属 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 材料・化学領域 研究チーム長 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 30306500 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |