金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K23236 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2022 |
| 代表者氏名 | 小林 康之 |
| 採択時の代表者所属 | 弘前大学 理工学研究科 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 90393727 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |