高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K23226 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2022 |
| 代表者氏名 | 浦岡 行治 |
| 採択時の代表者所属 | 奈良先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 20314536 |
| 科研費審査区分（中区分） | 29 （応用物理物性） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |