高誘電率ヘテロ配位子によるグライム系錯体の制御高度化と室温アルミニウム電析の進化
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K23098 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2022 |
| 代表者氏名 | 北田 敦 |
| 採択時の代表者所属 | 東京大学 大学院工学系研究科(工学部) 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 30636254 |
| 科研費審査区分（中区分） | 26 （材料工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 26 （材料工学） |
| 分析データ クラスタ | 11 （理化学/エネルギー・脱炭素） |