表面バリア制御を利用した超伝導ダイオード基盤技術の開発
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K22792 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(B) |
| 採択年度 | 2022 |
| 代表者氏名 | 土屋 雄司 |
| 採択時の代表者所属 | 東北大学 金属材料研究所 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 50736080 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |