高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24KJ0142 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 特別研究員奨励費 |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 原 征大 |
| 採択時の代表者所属 | 大阪大学 大学院工学研究科 特別研究員(PD) |
| 代表者の科研費研究者番号 | 31004418 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |