新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K08272 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 上田 修 |
| 採択時の代表者所属 | 明治大学 研究・知財戦略機構(生田) 研究推進員(客員研究員) |
| 代表者の科研費研究者番号 | 50418076 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |