3C/4Hヘテロエピ基板を用いた高信頼・高移動度SiCパワーMOSFET製作
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K08267 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 櫻庭 政夫 |
| 採択時の代表者所属 | 東北大学 電気通信研究所 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 30271993 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |