強誘電体薄膜上でのチエノチオフェン系薄膜の成長制御とメモリデバイス応用
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K07582 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 廣芝 伸哉 |
| 採択時の代表者所属 | 大阪工業大学 工学部 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 40635190 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |