自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24K07564 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 中村 俊博 |
| 採択時の代表者所属 | 法政大学 理工学部 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 90451715 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |