シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24H00312 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(A) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 小野 行徳 |
| 採択時の代表者所属 | 静岡大学 電子工学研究所 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 80374073 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |