SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 24H00308 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(A) |
| 採択年度 | 2024 |
| 代表者氏名 | 喜多 浩之 |
| 採択時の代表者所属 | 東京大学 大学院新領域創成科学研究科 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 00343145 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |