量子井戸混合を用いたIII-V族半導体薄膜光集積回路の基盤技術構築
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23H00172 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(A) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 竹中 充 |
| 採択時の代表者所属 | 東京大学 大学院工学系研究科(工学部) 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 20451792 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |