Symmetry-directed Epitaxy Growth of 2D Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides with continuous single crystallinity and ultralow defect density

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科研費研究課題/領域番号 23H00253 [ KAKENで見る ]
種目 基盤研究(A)
採択年度 2023
代表者氏名 トン ヴィンセント
採択時の代表者所属 東京大学 大学院工学系研究科(工学部) 教授
代表者の科研費研究者番号 50971628
科研費審査区分（中区分） 28 （ナノマイクロ科学）
分析データ 推定科研費審査区分（中区分） 30 （応用物理工学）
分析データ クラスタ 10 （腫瘍学/創薬・治療法開発）