SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K03928 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 畠山 哲夫 |
| 採択時の代表者所属 | 富山県立大学 工学部 教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 90222215 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |