レーザー・テラヘルツ波計測による強誘電体薄膜界面半導体の表面ポテンシャル分布決定
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K03954 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 高野 恵介 |
| 採択時の代表者所属 | 信州大学 学術研究院理学系 助教 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 70583102 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |