ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K03973 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 谷田部 然治 |
| 採択時の代表者所属 | 熊本大学 半導体・デジタル研究教育機構 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 00621773 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |