フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K03974 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 岡本 大 |
| 採択時の代表者所属 | 富山県立大学 工学部 准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 50612181 |
| 科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |