カルコゲナイド系層状物質の高品質ヘテロ積層構造:MBE法による成長技術の開発
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K04592 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 大竹 晃浩 |
| 採択時の代表者所属 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター 主幹研究員 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 30267398 , 10343873 |
| 科研費審査区分（中区分） | 29 （応用物理物性） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 21 （電気電子工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |