Si(001)ジャスト基板上3元以上ヒ素系半導体の直接成長
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 23K04598 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2023 |
| 代表者氏名 | 權 晋寛 |
| 採択時の代表者所属 | 東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 特任准教授 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 60851920 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |