Al-Nコドーピングp型SiC昇華法成長における欠陥発生メカニズムの解明
詳細情報
| 科研費研究課題/領域番号 | 22K04960 [ KAKENで見る ] |
|---|---|
| 種目 | 基盤研究(C) |
| 採択年度 | 2022 |
| 代表者氏名 | 江藤 数馬 |
| 採択時の代表者所属 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エネルギー・環境領域 研究員 |
| 代表者の科研費研究者番号 | 70711828 |
| 科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ 推定科研費審査区分（中区分） | 30 （応用物理工学） |
| 分析データ クラスタ | 27 （理化学/半導体・ナノ・材料） |